型号/品牌/封装
品类/描述
库存
价格(含税)
资料
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品类: IGBT晶体管描述: IXGN 系列 600 Vce 52 A 27 ns t(on) 高速 IGBT - SOT-227B19361-9￥188.588510-49￥183.668850-99￥179.8970100-199￥178.5851200-499￥177.6012500-999￥176.28931000-1999￥175.4693≥2000￥174.6494 -
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品类: MOS管描述: IXYS SEMICONDUCTOR IXFN73N30 晶体管, MOSFET, N沟道, 73 A, 300 V, 45 mohm, 10 V, 4 V50155-49￥21.656750-199￥20.7312200-499￥20.2129500-999￥20.08341000-2499￥19.95382500-4999￥19.80575000-7499￥19.7132≥7500￥19.6206 -
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品类: 功率二极管描述: Diode Fast Rec 1000V 60A Sot22755131-9￥103.569010-99￥99.0660100-249￥98.2555250-499￥97.6250500-999￥96.63441000-2499￥96.18412500-4999￥95.5537≥5000￥95.0133 -
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品类: 功率二极管描述: Diode Schottky 100V 160A Sot22742331-9￥158.700010-49￥154.560050-99￥151.3860100-199￥150.2820200-499￥149.4540500-999￥148.35001000-1999￥147.6600≥2000￥146.9700 -
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品类: 功率二极管描述: Diode Schot Sbd 1200V 45A Sot22759131-9￥1267.860010-24￥1256.334025-49￥1250.571050-99￥1244.8080100-149￥1239.0450150-249￥1233.2820250-499￥1227.5190≥500￥1221.7560 -
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品类: IGBT晶体管描述: Igbt Boost Chop 1200V 80A Sot22795871-9￥284.912510-49￥277.480050-99￥271.7818100-199￥269.7998200-499￥268.3133500-999￥266.33131000-1999￥265.0925≥2000￥263.8538 -
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品类: TVS二极管描述: Diode Module 400V 60A Sot227b24691-9￥153.030510-49￥149.038450-99￥145.9778100-199￥144.9132200-499￥144.1148500-999￥143.05031000-1999￥142.3849≥2000￥141.7196 -
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品类: 电子元器件分类描述: SIC SCHOTTKY DIODE MINIBLOC (SOT58981-9￥1176.153010-24￥1165.460725-49￥1160.114650-99￥1154.7684100-149￥1149.4223150-249￥1144.0761250-499￥1138.7300≥500￥1133.3838 -
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品类: 电子元器件分类描述: 整流器 FG, FRED, 1000V, 30A, SOT-22749361-9￥195.557510-49￥190.456050-99￥186.5449100-199￥185.1845200-499￥184.1642500-999￥182.80381000-1999￥181.9535≥2000￥181.1033 -
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品类: MOS管描述: ISOTOP ？升压斩波MOSFET和SiC二极管斩波模块电源 ISOTOP® Boost chopper MOSFET + SiC chopper diode Power module98521-9￥242.972010-49￥236.633650-99￥231.7742100-199￥230.0839200-499￥228.8162500-999￥227.12601000-1999￥226.0696≥2000￥225.0132 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立元件，IXYS XPT 系列 IXYS 的 XPT™ 系列分立件 IGBT 采用超轻穿通薄芯片技术，可降低热电阻和能源损耗。 这些设备提供快速切换时间，具有低尾线电流，并提供各种工业标准和专有封装。 高功率密度和低 VCE(sat) 方形反向偏置安全工作区域 (RBSOA) 高达额定击穿电压 短路容量，确保 10usec 正向通态电压温度系数 可选 Co-Pack Sonic-FRD™ 或 HiPerFRED™ 二极管 国际标准和专有高电压封装 ### IGBT 分立元件和模块，IXYS 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。65311-9￥271.089510-49￥264.017650-99￥258.5958100-199￥256.7100200-499￥255.2956500-999￥253.40981000-1999￥252.2311≥2000￥251.0525 -
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品类: MOS管描述: MOSFET N-CH 200V 79A SOT-22740491-9￥292.640510-49￥285.006450-99￥279.1536100-199￥277.1178200-499￥275.5910500-999￥273.55531000-1999￥272.2829≥2000￥271.0106 -
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品类: 功率二极管描述: Diode Schottky 60V 60A Sot22776521-9￥110.687510-99￥105.8750100-249￥105.0088250-499￥104.3350500-999￥103.27631000-2499￥102.79502500-4999￥102.1213≥5000￥101.5438 -
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品类: 功率二极管描述: Diode Schottky 100V 50A Sot22767181-9￥103.304510-99￥98.8130100-249￥98.0045250-499￥97.3757500-999￥96.38761000-2499￥95.93842500-4999￥95.3096≥5000￥94.7707 -
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品类: 功率二极管描述: Diode Sbd Schott 600V 10A Sot22747461-9￥168.624510-49￥164.225650-99￥160.8531100-199￥159.6801200-499￥158.8003500-999￥157.62731000-1999￥156.8941≥2000￥156.1610 -
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品类: 电子元器件分类描述: 二极管, 碳化硅肖特基, MPS Series, 双隔离, 1.2 kV, 186 A, 398 nC, SOT-22719741-9￥662.419810-49￥639.177050-99￥636.2717100-149￥633.3663150-249￥628.7177250-499￥624.6503500-999￥620.5828≥1000￥615.9342 -
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品类: 二极管描述: Rect Bridge Gp 1600V Sot227b20071-9￥234.657510-49￥228.536050-99￥223.8429100-199￥222.2105200-499￥220.9862500-999￥219.35381000-1999￥218.3335≥2000￥217.3133 -
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品类: TVS二极管描述: DIODE FAST 600V 50A SOT-227B69621-9￥139.000510-49￥135.374450-99￥132.5944100-199￥131.6274200-499￥130.9022500-999￥129.93531000-1999￥129.3309≥2000￥128.7266 -
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品类: MOS管描述: MOSFET N-CH 600V 41A SOT-227B20201-9￥223.583010-49￥217.750450-99￥213.2787100-199￥211.7234200-499￥210.5569500-999￥209.00151000-1999￥208.0294≥2000￥207.0573 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，IXYS ### IGBT 分立元件和模块，IXYS 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。23471-9￥233.519010-49￥227.427250-99￥222.7568100-199￥221.1323200-499￥219.9140500-999￥218.28951000-1999￥217.2742≥2000￥216.2589 -
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品类: IGBT晶体管描述: 600V ，开关电源系列N沟道IGBT与反并联二极管超高速 600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode76921-9￥152.145010-49￥148.176050-99￥145.1331100-199￥144.0747200-499￥143.2809500-999￥142.22251000-1999￥141.5610≥2000￥140.8995 -
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品类: 二极管描述: Mod Sbd Bridge 600V 30A Sot22730981-9￥445.452510-49￥433.832050-99￥424.9230100-199￥421.8242200-499￥419.5001500-999￥416.40131000-1999￥414.4645≥2000￥412.5278 -
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品类: 电子元器件分类描述: Ultra Fast NPT - IGBT with Ultra Soft Recovery Diode19831-9￥1259.577010-24￥1248.126325-49￥1242.401050-99￥1236.6756100-149￥1230.9503150-249￥1225.2249250-499￥1219.4996≥500￥1213.7742 -
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品类: MOS管描述: ISOTOP升压斩波超级结MOSFET功率模块 ISOTOP Boost chopper Super Junction MOSFET Power Module91261-9￥192.878010-49￥187.846450-99￥183.9888100-199￥182.6471200-499￥181.6408500-999￥180.29901000-1999￥179.4604≥2000￥178.6218 -
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品类: MOS管描述: ISOTOP ？升压斩波超级结MOSFET功率模块 ISOTOP® Boost chopper Super Junction MOSFET Power Module2546 -
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品类: MOS管描述: ISOTOP降压斩波MOSFET和SiC二极管斩波模块电源 ISOTOP Buck chopper MOSFET + SiC chopper diode Power module94941-9￥555.944510-49￥541.441650-99￥530.3227100-199￥526.4553200-499￥523.5547500-999￥519.68731000-1999￥517.2701≥2000￥514.8530
